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PHKD13N03LT
产品名称:

PHKD13N03LT

产品分类:
晶体管
产品品牌:
最小包装:
2500(件)
产品简介:
MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
NXP
产品详细介绍
类别
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 TrenchMOS™
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10.4A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 20 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 752pF @ 15V
功率 - 最大值 3.57W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SO